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Intel继续“打磨”22nm工艺 生产超强寿命RRAM芯片
时间:2020-01-09  来源:www.oaled.com

随着英特尔本月开始出货10纳米制程处理器,英特尔将转向14纳米,10纳米加速大规模生产和7纳米先进半导体技术。除了这些流程外,英特尔还拥有一些生产22纳米工艺的工厂。它们无法完全消除或升级到7nm,因此2017年英特尔推出了22FFL工艺。

22FFL是英特尔22nm和14nm FinFET工艺的修改版本。 FFL中的L代表低泄漏。漏电流较低。索引位于两个进程之间。晶体管密度为1880万个晶体管/mm 2,略好一些。在22nm工艺中,它的优点是功耗低,成本低,毕竟22nm工艺量产这么多年。

22FFL工艺不会用于生产高级处理器,但它会在其他芯片上找到它的位置。英特尔此前宣布使用22FFL工艺生产MRAM(磁阻RAM)。现在在VLSI2019大会上,英特尔也提到了22FFL。该过程已准备好生成RRAM(可变电阻RAM)。

无论是MRAM还是RRAM芯片,它们的特性都是超级性能,延迟与内存相当,而且寿命长,可靠性高。写入次数为数万次,耐高温,寿命长达10年以上。但现在的问题是这些芯片的容量非常低,通常为256Mb,512Mb,有些可能高达1Gb,这远远低于传统的RAM和NAND。