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成功案例
AMD有望首次在制造工艺上打败英特尔
时间:2020-03-16  来源:www.oaled.com

多年来,英特尔一直专注于CPU领域。一方面,它们具有强大的芯片设计能力;另一方面,该过程中的领先地位是他们继续领导的基础。过去,他们自己的晶圆厂在制造能力方面领先于所有竞争对手,包括专注于代工厂的台积电。但最近他们陷入了10nm的泥潭,为他们的竞争对手AMD带来了机会。

根据Solidot的说法,与英特尔的Ice Lake Xeon服务器处理器相比,AMD的下一代罗马服务器处理器在其历史上首次具有制造优势。罗马以Zen 2建筑为基础。与第一代EPYC处理器相比,罗马的IPC性能提高了10-15%,最多可以有64个核心。

预计样品将从今年下半年开始生产,并将于明年全面投入运营。该处理器由TSMC或GlobalFoundries制造,或者两者都使用7纳米制造工艺参与生产过程。两家铸造厂的7nm工艺进展非常顺利。

在台积电,今年6月,该公司首席执行官魏哲佳在其技术研讨会上表示,台积电的7nm工艺芯片已经开始批量生产。根据台积电的官方介绍,台积电的7nm FinFET的逻辑密度是其10nm FinFET工艺的1.6倍,速度提升约20%,功耗降低约40%。台积电通过引入两条独立的7nm FinFET路径创造了另一项行业记录,一条路径针对移动应用进行了优化,另一条针对高性能计算应用进行了优化。这也是他们下半年收入的重点。

在最近举行的第二季度法律会议上,台积电表示其7纳米计划正在按计划进行,预计将在下半年实现收入增长。与此同时,台积电对7纳米工艺的发展充满信心。预计第三季度7纳米工艺的比例将达到10%,第四季度7纳米工艺中单季工艺的比例预计将达到20%。

到明年,他们将领先一步,并将率先推出EUV量产,这意味着他们将再次击中英特尔,三星和其他竞争对手。铸造领导者的地位停滞不前。台积电董事长魏哲佳证实台积电的7nm增强版(7+)将于明年第二季度量产。它是世界上第一家使用EUV为客户生产芯片的晶圆代工厂。届时,7nm将贡献超过20%的性能,也就是说,明年的7nm工艺性能将比今年翻一番。

AMD的密切合作伙伴Gexin也在7nm领域取得了顺利进展。据国外媒体报道,作为AMD专用工厂,核心技术技术人员Gary Patton在今年年初指出,Gexin即将投入生产的7纳米工艺可以大大减少芯片面积。根据核心计算,7纳米工艺中晶体管的数量将是14纳米工艺芯片的1/2.7,并且预计芯片的热损失和更高的频率。

5月,为响应台积电的竞争,他们调整了7纳米工艺的栅极间距和SRAM单元,使其更接近台积电的7纳米工艺,这使得AMD可以同时使用两个7纳米工艺。处理。葛欣进一步指出,AMD也将台积电作为代工厂了解。原因是AMD的订单需求超过了电网核心的容量,因此电网核心寻求台积电加入代工厂是完全没有问题的。

至于英特尔炙手可热的冰湖,对细节知之甚少,但如前所述,英特尔的10纳米技术已经遭遇了几次延迟,大规模生产现已推迟到2019年的一段时间。根据Scotten Jones的分析,英特尔的10纳米节点几乎与Telco和Global Foundries的7纳米节点相同,而7纳米节点在晶体管密度方面略有优势。这将是AMD的服务器芯片首次在晶体管密度方面领先英特尔。